العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S405ATMA1
IPD90N04S405ATMA1
رقم القطعة:
IPD90N04S405ATMA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
13290 Pieces
ورقة البيانات:
IPD90N04S405ATMA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPD90N04S405ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPD90N04S405ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPD90N04S405ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 30µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO252-3-313
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.2 mOhm @ 86A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):65W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
اسماء اخرى:IPD90N04S4-05
IPD90N04S4-05-ND
SP000711460
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:26 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPD90N04S405ATMA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2960pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:37nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 40V 86A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):40V
وصف:MOSFET N-CH 40V 86A TO252-3-313
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:86A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPD90N04S405ATMA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPD90N04S304ATMA1 Image IPD90N04S304ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 تحقيق
IPD90N04S402ATMA1 Image IPD90N04S402ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 تحقيق
IPD90N04S4L04ATMA1 Image IPD90N04S4L04ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 تحقيق
IPD90N06S404ATMA1 Image IPD90N06S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق
IPD90N04S403ATMA1 Image IPD90N04S403ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 تحقيق
IPD90N04S404ATMA1 Image IPD90N04S404ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3-313 تحقيق
IPD90N06S4L03ATMA2 Image IPD90N06S4L03ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق
IPD90N06S4L06ATMA1 Image IPD90N06S4L06ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق
IPD90N06S4L06ATMA2 Image IPD90N06S4L06ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق
IPD90N04S3H4ATMA1 Image IPD90N04S3H4ATMA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3 تحقيق
IPD90N06S407ATMA2 Image IPD90N06S407ATMA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3 تحقيق

Latest الأخبار