يشترى IPG20N06S4L26ATMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPG20N06S4L26ATMA1
- رقم القطعة:
- IPG20N06S4L26ATMA1
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16576 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPG20N06S4L26ATMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPG20N06S4L26ATMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPG20N06S4L26ATMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.2V @ 10µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TDSON-8-4 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 17A, 10V |
| السلطة - ماكس: | 33W |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IPG20N06S4L26ATMA1TR SP000705588 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 26 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPG20N06S4L26ATMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1430pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 20nC @ 10V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 20A 33W Surface Mount PG-TDSON-8-4 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 60V 20A TDSON-8 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 20A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPG20N06S4L26ATMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPG20N06S4L14AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S4L14ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S4L11ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S4L26AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S4L11AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
IPG20N06S2L35ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4 | تحقيق |
|
IPG20N06S3L-23 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IPG20N06S415AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S4L14ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S415ATMA2 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S3L-35 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8 | تحقيق |
|
IPG20N06S2L35AATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
|
IPG20N06S415ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 8TDSON | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog