يشترى IPI076N12N3GAKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 130µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3 |
سلسلة: | OptiMOS™ |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.6 mOhm @ 100A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 188W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tube |
حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
اسماء اخرى: | IPI076N12N3 G IPI076N12N3 G-ND IPI076N12N3G SP000652738 |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Through Hole |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
الصانع الجزء رقم: | IPI076N12N3GAKSA1 |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 6640pF @ 60V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 101nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 120V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 120V |
وصف: | MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |