IPI076N12N3GAKSA1
IPI076N12N3GAKSA1
رقم القطعة:
IPI076N12N3GAKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18017 Pieces
ورقة البيانات:
IPI076N12N3GAKSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI076N12N3GAKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI076N12N3GAKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPI076N12N3GAKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 130µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.6 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):188W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:IPI076N12N3 G
IPI076N12N3 G-ND
IPI076N12N3G
SP000652738
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPI076N12N3GAKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6640pF @ 60V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:101nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 120V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):120V
وصف:MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:100A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات