العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPI120N08S404AKSA1
IPI120N08S404AKSA1
IPI120N08S404AKSA1
رقم القطعة:
IPI120N08S404AKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH TO262-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
15276 Pieces
ورقة البيانات:
IPI120N08S404AKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI120N08S404AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI120N08S404AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPI120N08S404AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 120µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3-1
سلسلة:Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:4.4 mOhm @ 100A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):179W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:SP000989098
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:14 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPI120N08S404AKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:6450pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:95nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 80V 120A (Tc) 179W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):80V
وصف:MOSFET N-CH TO262-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPI120N08S404AKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPI120N04S302AKSA1 Image IPI120N04S302AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3 تحقيق
IPI120N08S403AKSA1 Image IPI120N08S403AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO262-3 تحقيق
IPI120N06S403AKSA2 Image IPI120N06S403AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO262-3 تحقيق
IPI120N10S403AKSA1 Image IPI120N10S403AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO262-3 تحقيق
IPI120N06S402AKSA2 Image IPI120N06S402AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 تحقيق
IPI120N04S401AKSA1 Image IPI120N04S401AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1 تحقيق
IPI120N06S4H1AKSA1 Image IPI120N06S4H1AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 تحقيق
IPI120N06S403AKSA1 Image IPI120N06S403AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 تحقيق
IPI120N06S402AKSA1 Image IPI120N06S402AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3 تحقيق
IPI120N06S4H1AKSA2 Image IPI120N06S4H1AKSA2 Infineon Technologies MOSFET N-CH TO262-3 تحقيق
IPI120N04S402AKSA1 Image IPI120N04S402AKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 120A TO262-3-1 تحقيق

Latest الأخبار