العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPI22N03S4L15AKSA1
IPI22N03S4L15AKSA1
IPI22N03S4L15AKSA1
رقم القطعة:
IPI22N03S4L15AKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16055 Pieces
ورقة البيانات:
IPI22N03S4L15AKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI22N03S4L15AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI22N03S4L15AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPI22N03S4L15AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 10µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:14.9 mOhm @ 22A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):31W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:IPI22N03S4L-15
IPI22N03S4L-15-ND
SP000277016
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPI22N03S4L15AKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:980pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:14nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 22A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 22A TO262-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:22A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPI22N03S4L15AKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXTT110N10L2 Image IXTT110N10L2 IXYS MOSFET N-CH 100V 110A TO-268 تحقيق
IRF1404ZSTRR Image IRF1404ZSTRR Infineon Technologies MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK تحقيق
2N7002LT1 Image 2N7002LT1 ON Semiconductor MOSFET N-CH 60V 0.115A SOT-23 تحقيق
IXTH20N60 Image IXTH20N60 IXYS MOSFET N-CH 600V 20A TO-247AD تحقيق
SIHP10N40D-GE3 Image SIHP10N40D-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB تحقيق
CPC3710CTR IXYS Integrated Circuits Division MOSFET N-CH 250V SOT89 تحقيق
HUFA75343S3ST Image HUFA75343S3ST Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK تحقيق
IXFK35N50 Image IXFK35N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 35A TO-264AA تحقيق
IRF7433TRPBF Image IRF7433TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC تحقيق
SI3483CDV-T1-GE3 Image SI3483CDV-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 30V 8A 6-TSOP تحقيق
SI4421DY-T1-E3 Vishay Siliconix MOSFET P-CH 20V 10A 8-SOIC تحقيق
IXTH96N25T Image IXTH96N25T IXYS MOSFET N-CH 250V 96A TO-247 تحقيق
FDM21-05QC IXYS MOSFET N-CH 500V 21A I4-PAC-5 تحقيق
IXFK33N50 Image IXFK33N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 33A TO-264AA تحقيق
BSP316PE6327 Image BSP316PE6327 Infineon Technologies MOSFET P-CH 100V 0.68A SOT223 تحقيق
IRFSL7440PBF Image IRFSL7440PBF Infineon Technologies MOSFET N CH 40V 120A TO-262 تحقيق
RQ5E030AJTCL Image RQ5E030AJTCL Rohm Semiconductor NCH 30V 3A MIDDLE POWER MOSFET تحقيق
IRFU4105ZTRR Image IRFU4105ZTRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK تحقيق
IPP048N12N3 G Image IPP048N12N3 G Infineon Technologies MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 تحقيق
FCU850N80Z Image FCU850N80Z Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 800V 6A IPAK تحقيق

Latest الأخبار