العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPI60R199CPXKSA1
IPI60R199CPXKSA1
IPI60R199CPXKSA1
رقم القطعة:
IPI60R199CPXKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14585 Pieces
ورقة البيانات:
IPI60R199CPXKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI60R199CPXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI60R199CPXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPI60R199CPXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:3.5V @ 660µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:199 mOhm @ 9.9A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):139W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:IPI60R199CP
IPI60R199CP-ND
IPI60R199CPX
IPI60R199CPXK
SP000103248
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPI60R199CPXKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1520pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:43nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):600V
وصف:MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:16A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPI60R199CPXKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPI60R125CPXKSA1 Image IPI60R125CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 25A TO-262 تحقيق
IPI60R385CPXKSA1 Image IPI60R385CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK تحقيق
IPI60R199CPXKSA2 Infineon Technologies HIGH POWER_LEGACY تحقيق
IPI60R299CPXKSA1 Image IPI60R299CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 11A I2PAK تحقيق
IPI60R600CPAKSA1 Image IPI60R600CPAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 6.1A TO-262 تحقيق
IPI60R165CPXKSA1 Infineon Technologies HIGH POWER_LEGACY تحقيق
IPI60R099CPAAKSA1 Image IPI60R099CPAAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 60V 31A TO-262 تحقيق
IPI60R280C6XKSA1 Image IPI60R280C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 13.8A TO262 تحقيق
IPI60R380C6XKSA1 Image IPI60R380C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 10.6A TO262 تحقيق
IPI60R190C6XKSA1 Image IPI60R190C6XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 20.2A TO262 تحقيق
IPI60R165CPAKSA1 Image IPI60R165CPAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 21A TO-262 تحقيق
IPI60R520CPAKSA1 Image IPI60R520CPAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 600V 6.8A TO-262 تحقيق
IPI60R250CPAKSA1 Image IPI60R250CPAKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 12A TO-262 تحقيق

Latest الأخبار