IPI65R110CFDXKSA1
IPI65R110CFDXKSA1
رقم القطعة:
IPI65R110CFDXKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14421 Pieces
ورقة البيانات:
IPI65R110CFDXKSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI65R110CFDXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI65R110CFDXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPI65R110CFDXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 1.3mA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:110 mOhm @ 12.7A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):277.8W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:IPI65R110CFD
IPI65R110CFD-ND
SP000896398
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPI65R110CFDXKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3240pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:118nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 31.2A TO262
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:31.2A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات