يشترى IPI70N10S312AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPI70N10S312AKSA1
- رقم القطعة:
- IPI70N10S312AKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19495 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPI70N10S312AKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI70N10S312AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI70N10S312AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO262-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.6 mOhm @ 70A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | IPI70N10S3-12 IPI70N10S3-12-ND SP000407124 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPI70N10S312AKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4355pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 66nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPI70N10S312AKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SI7356ADP-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8 | تحقيق |
 |
IPI70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO262-3-1 | تحقيق |
 |
IPI70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
IPI70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
IPI70P04P409AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH TO262-3 | تحقيق |
 |
NVMFS6B03NLWFT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 20A 5DFN | تحقيق |
 |
FCP600N60Z | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N CH 600V 7.4A TO-220F | تحقيق |
 |
SFR9014TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 5.3A DPAK | تحقيق |
 |
NTB18N06T4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK | تحقيق |
|
IPI70N04S307AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
IPI70R950CEXKSA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog