IPI80N06S3L06XK
IPI80N06S3L06XK
رقم القطعة:
IPI80N06S3L06XK
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
19692 Pieces
ورقة البيانات:
IPI80N06S3L06XK.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPI80N06S3L06XK ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPI80N06S3L06XK عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPI80N06S3L06XK مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.2V @ 80µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO262-3
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:5.9 mOhm @ 56A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):136W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:IPI80N06S3L-06
IPI80N06S3L-06-ND
IPI80N06S3L-06IN
IPI80N06S3L-06IN-ND
IPI80N06S3L06X
SP000088002
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPI80N06S3L06XK
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:9417pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:196nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 80A (Tc) 136W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 80A TO-262
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات