يشترى IPP040N06N3GXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP040N06N3GXKSA1
- رقم القطعة:
- IPP040N06N3GXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15847 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP040N06N3GXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP040N06N3GXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP040N06N3GXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 90µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 4 mOhm @ 90A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 188W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP040N06N3 G IPP040N06N3 G-ND IPP040N06N3G SP000680788 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPP040N06N3GXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 11000pF @ 30V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 98nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 90A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 90A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP040N06N3GXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP048N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP04N03LB G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 | تحقيق |
|
IPP040N06NAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP04N03LA | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB | تحقيق |
|
IPP040N06N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP041N12N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP041N04NGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP042N03LGHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP045N10N3GHKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP042N03LGXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 70A TO-220-3 | تحقيق |
|
IPP04CN10NG | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP048N06L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A TO-220 | تحقيق |
|
IPP045N10N3GXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog