يشترى IPP60R099CPXKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP60R099CPXKSA1
- رقم القطعة:
- IPP60R099CPXKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15189 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP60R099CPXKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP60R099CPXKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP60R099CPXKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 1.2mA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO-220-3 |
| سلسلة: | CoolMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 99 mOhm @ 18A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 255W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP60R099CP IPP60R099CPIN IPP60R099CPIN-ND IPP60R099CPXK IPP60R099CSIN IPP60R099CSIN-ND IPP60R099CSX IPP60R099CSXTIN IPP60R099CSXTIN-ND SP000057021 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IPP60R099CPXKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2800pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 80nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 650V |
| وصف: | MOSFET N-CH 650V 31A TO-220 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP60R099CPXKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP60R099C6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220 | تحقيق |
|
IPP60R190P6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220 | تحقيق |
|
IPP60R380P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
|
IPP60R099P6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO220-3 | تحقيق |
|
IPP60R074C6XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 57.7A TO220 | تحقيق |
|
IPP60R099CPAAKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 31A TO-220 | تحقيق |
|
IPP60R040C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 50A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP60R099C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 22A TO220-3 | تحقيق |
 |
IPP60R360P7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP60R060C7XKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 35A TO220-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog