يشترى IPP70N10S312AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP70N10S312AKSA1
- رقم القطعة:
- IPP70N10S312AKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19518 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP70N10S312AKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP70N10S312AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP70N10S312AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 83µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 11.6 mOhm @ 70A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 125W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP70N10S3-12 IPP70N10S3-12-ND IPP70N10S312 SP000407122 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPP70N10S312AKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 4355pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 66nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 70A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 70A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP70N10S312AKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFU9014N | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 5.1A I-PAK | تحقيق |
 |
IPP70N10S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP70N10SL16AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 70A TO220-3 | تحقيق |
 |
BUK7Y15-100EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 68A LFPAK | تحقيق |
 |
IRFI634G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 5.6A TO220FP | تحقيق |
 |
IPP70N12S3L12AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
IPP70N12S311AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_100+ | تحقيق |
|
IPP70P04P409AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH TO220-3 | تحقيق |
 |
RJL5014DPK-00#T0 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 19A TO3P | تحقيق |
|
IPP70N04S307AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
 |
SI7469DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 80V 28A PPAK SO-8 | تحقيق |
|
IPP70N04S406AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 70A TO220-3-1 | تحقيق |
 |
PH1330AL,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A LFPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog