يشترى IPP80N04S306AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPP80N04S306AKSA1
- رقم القطعة:
- IPP80N04S306AKSA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12168 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPP80N04S306AKSA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP80N04S306AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP80N04S306AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 52µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PG-TO220-3-1 |
| سلسلة: | OptiMOS™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.7 mOhm @ 80A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 100W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | IPP80N04S3-06 IPP80N04S3-06-ND IPP80N04S306 SP000261233 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IPP80N04S306AKSA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3250pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 47nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 40V 80A (Tc) 100W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 40V |
| وصف: | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 80A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPP80N04S306AKSA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPP80N04S403AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 | تحقيق |
|
IPP80N06S3-07 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
|
IPP80N04S3-04 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S3H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S4L04AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 | تحقيق |
|
IPP80N04S2H4AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S303AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S2H4AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S204AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S2L03AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N06S2H5AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3 | تحقيق |
|
IPP80N04S404AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 80A TO220-3-1 | تحقيق |
 |
IPP80N06S405AKSA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL_55/60V | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog