IPP80N06S2L11AKSA1
IPP80N06S2L11AKSA1
رقم القطعة:
IPP80N06S2L11AKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14492 Pieces
ورقة البيانات:
IPP80N06S2L11AKSA1.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPP80N06S2L11AKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPP80N06S2L11AKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPP80N06S2L11AKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2V @ 93µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO220-3-1
سلسلة:OptiMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 60A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):158W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:IPP80N06S2L-11
IPP80N06S2L-11-ND
SP000218175
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IPP80N06S2L11AKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2075pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:80nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 80A (Tc) 158W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات