يشترى IPU60R1K5CEBKMA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IPU60R1K5CEBKMA1
- رقم القطعة:
- IPU60R1K5CEBKMA1
- وصف:
- MOSFET N-CH 600V TO-251-3
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15593 Pieces
- ورقة البيانات:
- IPU60R1K5CEBKMA1.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPU60R1K5CEBKMA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPU60R1K5CEBKMA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3.5V @ 90µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251 |
| سلسلة: | CoolMOS™ CE |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 1.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 28W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | SP001276062 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 3 (168 Hours) |
| الصانع الجزء رقم: | IPU60R1K5CEBKMA1 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 200pF @ 100V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 9.4nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 600V 3.1A (Tc) 28W (Tc) Through Hole TO-251 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 600V |
| وصف: | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIPU60R1K5CEBKMA1
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPU60R1K0CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.3A TO-251-3 | تحقيق |
|
IPU60R1K0CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | تحقيق |
|
IPU60R1K4C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | تحقيق |
|
IPU60R1K0CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | تحقيق |
|
IPU60R950C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 4.4A TO251 | تحقيق |
|
IPU60R2K0C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-251 | تحقيق |
|
IPU60R600C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO-251 | تحقيق |
|
IPU60R1K4C6BKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET NCH 600V 3.2A TO251 | تحقيق |
|
IPU60R1K5CEAKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | تحقيق |
|
IPU60R600C6AKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 7.3A TO251 | تحقيق |
|
IPU60R1K5CEAKMA2 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 3.1A TO-251-3 | تحقيق |
|
IPU60R2K1CEBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-251-3 | تحقيق |
 |
IPU60R2K1CEAKMA1 | Infineon Technologies | CONSUMER | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog