العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPW65R190CFD
IPW65R190CFD
IPW65R190CFD
رقم القطعة:
IPW65R190CFD
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
17480 Pieces
ورقة البيانات:
IPW65R190CFD.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPW65R190CFD ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPW65R190CFD عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPW65R190CFD مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4.5V @ 730µA
فغس (ماكس):±20V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO247-3
سلسلة:CoolMOS™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:190 mOhm @ 7.3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):151W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-3
اسماء اخرى:IPW65R190CFDFKSA1
SP000905376
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:16 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPW65R190CFD
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1850pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:68nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:17.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPW65R190CFD

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPW65R150CFDAFKSA1 Image IPW65R150CFDAFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO247 تحقيق
IPW65R190C6FKSA1 Image IPW65R190C6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 تحقيق
IPW65R190E6FKSA1 Image IPW65R190E6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 تحقيق
IPW65R190CFDAFKSA1 Image IPW65R190CFDAFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247 تحقيق
IPW65R190C7XKSA1 Image IPW65R190C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247 تحقيق
IPW65R110CFDAFKSA1 Image IPW65R110CFDAFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 تحقيق
IPW65R125C7XKSA1 Image IPW65R125C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO247 تحقيق
IPW65R110CFD Image IPW65R110CFD Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247 تحقيق
IPW65R041CFD Image IPW65R041CFD Infineon Technologies MOSFET N CH 650V 68.5A PG-TO247 تحقيق
IPW65R420CFDFKSA1 Image IPW65R420CFDFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 8.7A TO247 تحقيق
IPW65R099C6FKSA1 Image IPW65R099C6FKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 38A TO-247 تحقيق
IPW65R150CFDFKSA1 Image IPW65R150CFDFKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO247 تحقيق

Latest الأخبار