العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IPZ65R095C7XKSA1
IPZ65R095C7XKSA1
رقم القطعة:
IPZ65R095C7XKSA1
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 650V TO247-4
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
16990 Pieces
ورقة البيانات:
IPZ65R095C7XKSA1.pdf
تحقيق

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IPZ65R095C7XKSA1 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IPZ65R095C7XKSA1 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IPZ65R095C7XKSA1 مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 590µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:PG-TO247-4
سلسلة:CoolMOS™ C7
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:95 mOhm @ 11.8A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):128W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-247-4
اسماء اخرى:SP001080130
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:20 Weeks
الصانع الجزء رقم:IPZ65R095C7XKSA1
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2140pF @ 400V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:45nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 24A (Tc) 128W (Tc) Through Hole PG-TO247-4
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V TO247-4
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:24A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIPZ65R095C7XKSA1

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IPZ65R065C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO247-4 تحقيق
IRF7205TRPBF Image IRF7205TRPBF Infineon Technologies MOSFET P-CH 30V 4.6A 8-SOIC تحقيق
IPZ65R045C7XKSA1 Image IPZ65R045C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4 تحقيق
IRFBF30STRR Image IRFBF30STRR Vishay Siliconix MOSFET N-CH 900V 3.6A D2PAK تحقيق
CSD19536KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 100V TO-220 تحقيق
NTD30N02G Image NTD30N02G ON Semiconductor MOSFET N-CH 24V 30A DPAK تحقيق
CSD18532NQ5BT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A تحقيق
IRFZ44Z Image IRFZ44Z Infineon Technologies MOSFET N-CH 55V 51A TO-220AB تحقيق
CSD18533KCS Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3 تحقيق
DMT5015LFDF-7 Image DMT5015LFDF-7 Diodes Incorporated MOSFET N-CH 50V 9.1A 6DFN تحقيق
IPZ65R019C7XKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V TO247-4 تحقيق
STB13NM60N Image STB13NM60N STMicroelectronics MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK تحقيق
IXTH160N10T Image IXTH160N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 160A TO-247 تحقيق
FQPF13N50 Image FQPF13N50 Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 500V 12.5A TO-220F تحقيق
AUIRFS4115TRL Image AUIRFS4115TRL Infineon Technologies MOSFET N-CH 150V 99A D2PAK تحقيق
FQPF7N20L Image FQPF7N20L Fairchild/ON Semiconductor MOSFET N-CH 200V 5A TO-220F تحقيق
PHM21NQ15T,518 NXP USA Inc. MOSFET N-CH 150V 22.2A 8HVSON تحقيق

Latest الأخبار