يشترى IRD3CH101DB6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRD3CH101DB6
- رقم القطعة:
- IRD3CH101DB6
- وصف:
- DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13497 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRD3CH101DB6.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRD3CH101DB6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRD3CH101DB6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - إلى الأمام (فودافون) (ماكس) @ إذا: | 2.7V @ 200A |
|---|---|
| الجهد - العاصمة عكسي (VR) (ماكس): | 1200V (1.2kV) |
| تجار الأجهزة حزمة: | Die |
| سرعة: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 360ns |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | Die |
| اسماء اخرى: | SP001535420 |
| درجة حرارة التشغيل - تقاطع: | -40°C ~ 175°C |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRD3CH101DB6 |
| وصف موسع: | Diode Standard 1200V (1.2kV) 200A Surface Mount Die |
| نوع الصمام الثنائي: | Standard |
| وصف: | DIODE GEN PURP 1.2KV 200A DIE |
| التيار - عكس تسرب @ الواقع الافتراضي: | 3.6µA @ 1200V |
| الحالي - متوسط مصحح (أيو): | 200A |
| السعة @ الواقع الافتراضي، F: | - |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRD3CH101DB6
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRD3CH101DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH11DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH53DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH16DD6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH11DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH5DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE | تحقيق |
|
IRD3CH16DB6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH16DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH31DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH101DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
|
IRD3CH11DB6 | Infineon Technologies | DIODE GEN PURP 1.2KV 25A DIE | تحقيق |
|
IRD3CH24DF6 | Infineon Technologies | DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog