العربية
English
Deutsch
Français
русский
español
Português
日本語
Italia
한국의
العربية
Türk dili
polski
Suomi
Indonesia
Tiếng Việt
ภาษาไทย
Nederland
Pilipino
Čeština
繁体中文
Magyarország
Kongeriket
Dansk
Svenska
✕
معلومات عنا
|
اتصل بنا
|
اطلب اقتباس
|
منزل
حول Bychips
المنتجات
مصنعين
طلب الإقتباس
الصحافة الصحافة
اتصل بـ Bychips
الصفحة الرئيسية
>
منتجات
>
منتجات أشباه الموصلات المنفصلة
>
الثنائيات الصمامات--واحد
>
IRD3CH31DB6
IRD3CH31DB6
رقم القطعة:
IRD3CH31DB6
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
14336 Pieces
ورقة البيانات:
IRD3CH31DB6.pdf
تحقيق
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل
IRD3CH31DB6 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك
IRD3CH31DB6 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى
IRD3CH31DB6 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
مواصفات
سلسلة:
*
اسماء اخرى:
SP001539694
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):
1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:
IRD3CH31DB6
وصف موسع:
Diode
وصف:
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
Email:
[email protected]
سريع طلب اقتباس
رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات
قطع الغيار ذات الصلة ل
IRD3CH31DB6
صورة
رقم القطعة
مصنعين
وصف
رأي
IRD3CH31DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH11DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH24DB6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH16DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH31DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH53DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH11DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH16DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH9DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 10A DIE
تحقيق
IRD3CH5DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 5A DIE
تحقيق
IRD3CH53DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 100A DIE
تحقيق
IRD3CH42DB6
Infineon Technologies
DIODE GEN PURP 1.2KV 75A DIE
تحقيق
IRD3CH101DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH24DF6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH9DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
IRD3CH101DD6
Infineon Technologies
DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
تحقيق
Latest الأخبار
Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
Janet Clark to join TI board of directors
TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
GCHQ Director calls for international cyber pact
Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
"Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog