IRF1010NLPBF
IRF1010NLPBF
رقم القطعة:
IRF1010NLPBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
18583 Pieces
ورقة البيانات:
IRF1010NLPBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF1010NLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF1010NLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRF1010NLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-262
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:11 mOhm @ 43A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):180W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
اسماء اخرى:*IRF1010NLPBF
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 175°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRF1010NLPBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:3210pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:120nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 55V 85A (Tc) 180W (Tc) Through Hole TO-262
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):55V
وصف:MOSFET N-CH 55V 85A TO-262
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:85A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات