يشترى IRF1902GTRPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF1902GTRPBF
- رقم القطعة:
- IRF1902GTRPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16898 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF1902GTRPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF1902GTRPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF1902GTRPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 700mV @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 85 mOhm @ 4A, 4.5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | - |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | SP001561612 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF1902GTRPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 310pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 7.5nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 20V 4.2A (Ta) Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF1902GTRPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
SPD09P06PL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 60V 9.7A DPAK | تحقيق |
 |
IRF1902GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8SOIC | تحقيق |
 |
IPB45N06S3-16 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 45A TO-263 | تحقيق |
 |
IXFX20N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 20A PLUS247 | تحقيق |
 |
TK14E65W5,S1X | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 650V 13.7A TO-220AB | تحقيق |
|
STB21NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 17A D2PAK | تحقيق |
 |
STP80NF55-06FP | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 60A TO-220FP | تحقيق |
|
IRF1902PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTMFS4841NHT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 8.6A SO-8FL | تحقيق |
 |
IRFP260 | IXYS | MOSFET N-CH 200V 46A TO247 | تحقيق |
|
IRF1902TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 20V 4.2A 8-SOIC | تحقيق |
|
NTMFS4941NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A SO8FL | تحقيق |
|
IPD65R600C6BTMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 7.3A TO252 | تحقيق |
 |
SIHU3N50D-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 500V 3A TO251 IPAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog