يشترى IRF3515STRR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF3515STRR
- رقم القطعة:
- IRF3515STRR
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 15284 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF3515STRR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF3515STRR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF3515STRR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 45 mOhm @ 25A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF3515STRR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2260pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 107nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 41A (Tc) 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 41A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF3515STRR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
PSMN0R9-30YLDX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 100A 56LFPAK | تحقيق |
 |
PHB45NQ15T,118 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 150V 45.1A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF3515STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
IRLU024ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 16A I-PAK | تحقيق |
 |
IRF3515L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A TO-262 | تحقيق |
|
IRF3515STRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
TP2635N3-G | Microchip Technology | MOSFET P-CH 350V 0.18A TO92-3 | تحقيق |
|
IPI60R385CPXKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 9A I2PAK | تحقيق |
 |
IRF3575DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 25V 303A PQFN | تحقيق |
|
IRF3515S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF3546MTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 4N-CH 25V 16A/20A 41PQFN | تحقيق |
 |
FQAF28N15 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 22A TO-3PF | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog