يشترى IRF610L مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF610L
- رقم القطعة:
- IRF610L
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18893 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF610L.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF610L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF610L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-262 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 1.5 Ohm @ 2A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3W (Ta), 36W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| اسماء اخرى: | *IRF610L |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF610L |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 140pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.2nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 3.3A (Tc) 3W (Ta), 36W (Tc) Through Hole TO-262 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF610L
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF614STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK | تحقيق |
|
IRF610STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF610PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | تحقيق |
|
IRF610S | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
|
IRF610 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-220AB | تحقيق |
|
IRF610STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
|
IRF610SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF614L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-262 | تحقيق |
|
IRF610STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
|
IRF610STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK | تحقيق |
|
IRF614STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK | تحقيق |
|
IRF610LPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 3.3A TO-262 | تحقيق |
|
IRF614 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.7A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog