يشترى IRF6156 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF6156
- رقم القطعة:
- IRF6156
- وصف:
- MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18880 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF6156.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF6156 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF6156 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1.2V @ 250µA |
|---|---|
| تجار الأجهزة حزمة: | 6-FlipFet™ |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 40 mOhm @ 6.5A, 4.5V |
| السلطة - ماكس: | 2.5W |
| التعبئة والتغليف: | Bulk |
| حزمة / كيس: | 6-FlipFet™ |
| اسماء اخرى: | *IRF6156 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF6156 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 950pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 18nC @ 5V |
| نوع FET: | 2 N-Channel (Dual) |
| FET الميزة: | Logic Level Gate |
| وصف موسع: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 6.5A 2.5W Surface Mount 6-FlipFet™ |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
| وصف: | MOSFET 2N-CH 20V 6.5A FLIP-FET |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.5A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF6156
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF6100 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIP-FET | تحقيق |
 |
BSL215CH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | تحقيق |
|
IRF6100PBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.1A FLIPFET | تحقيق |
|
IRF6150 | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 7.9A FLIP-FET | تحقيق |
 |
CSD87333Q3D | Texas Instruments | MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON | تحقيق |
 |
SSM6N42FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2N-CH 20V 0.8A ES6 | تحقيق |
 |
SI4226DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 25V 8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTJD3158CT2G | ON Semiconductor | MOSFET N/P-CH 20V SC88-6 | تحقيق |
 |
DMN3190LDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 30V 1A SOT363 | تحقيق |
 |
EPC2101ENGRT | EPC | TRANS GAN ASYMMETRICAL HALF BRID | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog