يشترى IRF630NPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF630NPBF
- رقم القطعة:
- IRF630NPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13326 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF630NPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF630NPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF630NPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 300 mOhm @ 5.4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 82W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *IRF630NPBF SP001564792 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRF630NPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 575pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 35nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 9.3A (Tc) 82W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 9.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF630NPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF630NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
|
IRF630NS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
|
IRF630NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF630NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | تحقيق |
|
IRF630NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
 |
APT55M65JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 550V 63A SOT-227 | تحقيق |
|
IRF630NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A TO-262 | تحقيق |
 |
STB24N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 18A D2PAK | تحقيق |
 |
2SK3801 | Sanken | MOSFET N-CH 40V TO-3P | تحقيق |
 |
CSD23285F5T | Texas Instruments | 12V P-CHANNEL FEMTOFET MOSFET | تحقيق |
|
IRF630NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK | تحقيق |
 |
NVTFS4C05NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 75A U8FL | تحقيق |
 |
NDS8435A | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 30V 7.9A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog