IRF640L
IRF640L
رقم القطعة:
IRF640L
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
18577 Pieces
ورقة البيانات:
IRF640L.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF640L ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF640L عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRF640L مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:I2PAK
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:180 mOhm @ 11A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):3.1W (Ta), 130W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRF640L
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1300pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:70nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 200V 18A (Tc) 3.1W (Ta), 130W (Tc) Through Hole I2PAK
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):200V
وصف:MOSFET N-CH 200V 18A TO-262
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:18A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات