IRF6631TR1PBF
IRF6631TR1PBF
رقم القطعة:
IRF6631TR1PBF
الصانع:
International Rectifier (Infineon Technologies)
وصف:
MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
12832 Pieces
ورقة البيانات:
IRF6631TR1PBF.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF6631TR1PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF6631TR1PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRF6631TR1PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.35V @ 25µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:DIRECTFET™ SQ
سلسلة:HEXFET®
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:7.8 mOhm @ 13A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):2.2W (Ta), 42W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:DirectFET™ Isometric SQ
اسماء اخرى:IRF6631TR1PBFTR
SP001529226
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRF6631TR1PBF
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1450pF @ 15V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:18nC @ 4.5V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 30V 13A (Ta), 57A (Tc) 2.2W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ SQ
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف:MOSFET N-CH 30V 13A DIRECTFET
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:13A (Ta), 57A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات