يشترى IRF6644TR1PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4.8V @ 150µA |
---|---|
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | DIRECTFET™ MN |
سلسلة: | HEXFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 13 mOhm @ 10.3A, 10V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 2.8W (Ta), 89W (Tc) |
التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
حزمة / كيس: | DirectFET™ Isometric MN |
اسماء اخرى: | IRF6644TR1PBFTR SP001561794 |
درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
الصانع الجزء رقم: | IRF6644TR1PBF |
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2210pF @ 25V |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 47nC @ 10V |
نوع FET: | N-Channel |
FET الميزة: | - |
وصف موسع: | N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
وصف: | MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 10.3A (Ta), 60A (Tc) |
Email: | [email protected] |