يشترى IRF7342D2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF7342D2PBF
- رقم القطعة:
- IRF7342D2PBF
- وصف:
- MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18644 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF7342D2PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF7342D2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF7342D2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | FETKY™ |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 105 mOhm @ 3.4A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| اسماء اخرى: | *IRF7342D2PBF SP001563510 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF7342D2PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 690pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 38nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | Schottky Diode (Isolated) |
| وصف موسع: | P-Channel 55V 3.4A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 3.4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF7342D2PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF7316GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8SOIC | تحقيق |
|
IRF7342D2TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7342PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7341TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7341PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7343TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7311TR | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7342QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8SOIC | تحقيق |
|
IRF7343PBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7341GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A | تحقيق |
|
IRF7341QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7351PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 60V 8A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF7343QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog