يشترى IRF9410TR مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF9410TR
- رقم القطعة:
- IRF9410TR
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12451 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF9410TR.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF9410TR ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF9410TR عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 1V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-SO |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 30 mOhm @ 7A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRF9410TR |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 550pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 27nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 7A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF9410TR
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
NP110N03PUG-E1-AY | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 30V MP-25ZP/TO-263 | تحقيق |
 |
2SJ649-AZ | Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 60V 20A TO-220 | تحقيق |
 |
IRF7606TR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 3.6A MICRO8 | تحقيق |
 |
IRF9410PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SI2301BDS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3 | تحقيق |
 |
AOD4124 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 100V 54A TO252 | تحقيق |
 |
SQS484ENW-T1_GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 40V 16A 1212-8 | تحقيق |
|
SPP07N65C3XKSA1 | Infineon Technologies | LOW POWER_LEGACY | تحقيق |
 |
FDB2552_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N CH 150V 5A TO-263AB | تحقيق |
 |
SCH1435-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 3A SCH6 | تحقيق |
|
IRF9410TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRF9410 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRLR120TRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 7.7A DPAK | تحقيق |
 |
GP1M003A050HG | Global Power Technologies Group | MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog