يشترى IRF9Z34NSTRLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRF9Z34NSTRLPBF
- رقم القطعة:
- IRF9Z34NSTRLPBF
- وصف:
- MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14344 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRF9Z34NSTRLPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRF9Z34NSTRLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRF9Z34NSTRLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 100 mOhm @ 10A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 68W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IRF9Z34NSTRLPBF-ND IRF9Z34NSTRLPBFTR SP001554544 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRF9Z34NSTRLPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 620pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 35nC @ 10V |
| نوع FET: | P-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | P-Channel 55V 19A (Tc) 3.8W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 19A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRF9Z34NSTRLPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRF9Z34NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 | تحقيق |
 |
IRF9Z34NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | تحقيق |
|
IRF9Z34NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | تحقيق |
 |
IRF9Z34NPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB | تحقيق |
|
IRF9Z34NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK | تحقيق |
|
IRF9Z24NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | تحقيق |
|
IRF9Z24NPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-220AB | تحقيق |
|
IRF9Z24NL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | تحقيق |
|
IRF9Z34NL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 19A TO-262 | تحقيق |
|
IRF9Z24NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 | تحقيق |
|
IRF9Z24NSTRL | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog