يشترى IRFB3307PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFB3307PBF
- رقم القطعة:
- IRFB3307PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12246 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFB3307PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFB3307PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFB3307PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 6.3 mOhm @ 75A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *IRFB3307PBF SP001555972 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFB3307PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 5150pF @ 50V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 180nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 75V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 75V |
| وصف: | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFB3307PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3307 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB33N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3207ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3307ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog