IRFB9N65A
IRFB9N65A
رقم القطعة:
IRFB9N65A
الصانع:
Vishay / Siliconix
وصف:
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
الكمية المتوفرة:
18310 Pieces
ورقة البيانات:
1.IRFB9N65A.pdf2.IRFB9N65A.pdf

المقدمة

BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFB9N65A ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFB9N65A عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
يشترى IRFB9N65A مع BYCHPS
شراء مع ضمان

مواصفات

VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-220AB
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:930 mOhm @ 5.1A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):167W (Tc)
التعبئة والتغليف:Tube
حزمة / كيس:TO-220-3
اسماء اخرى:*IRFB9N65A
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
مستوى حساسية الرطوبة (مسل):1 (Unlimited)
الصانع الجزء رقم:IRFB9N65A
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:1417pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:48nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
وصف موسع:N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات