يشترى IRFD014PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFD014PBF
- رقم القطعة:
- IRFD014PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18678 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFD014PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFD014PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFD014PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRFD014PBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFD014PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 310pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFD014PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFD010PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP | تحقيق |
 |
IRF7416QTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC | تحقيق |
|
IRFD014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | تحقيق |
 |
IXTN102N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 76A X2 SOT-227 | تحقيق |
 |
FQI8P10TU | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 100V 8A I2PAK | تحقيق |
 |
TPS1100PW | Texas Instruments | MOSFET P-CH 15V 1.27A 8-TSSOP | تحقيق |
|
IRFD024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD010 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP | تحقيق |
|
IRFD024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | تحقيق |
 |
IXTK60N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 60A TO-264 | تحقيق |
|
IRFD020PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 50V 2.4A 4-DIP | تحقيق |
 |
ATP405-TL-HX | ON Semiconductor | MOSFET N-CH DPAK | تحقيق |
 |
NDP7050L | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 50V 75A TO-220AB | تحقيق |
 |
STD13NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 11A DPAK | تحقيق |
 |
SI4102DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 3.8A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRF1010ZS | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog