يشترى IRFD310 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFD310
- رقم القطعة:
- IRFD310
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19056 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFD310.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFD310 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFD310 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.6 Ohm @ 210mA, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRFD310 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFD310 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 170pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 17nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 400V 350mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 400V |
| وصف: | MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 350mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFD310
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFN64N50PD2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 52A SOT-227B | تحقيق |
 |
CSD18534Q5AT | Texas Instruments | N-CHANNEL NEXFET POWER MOSFET | تحقيق |
 |
IXTQ36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-3P | تحقيق |
 |
NVMFS4C03NT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 31.4A SO8FL | تحقيق |
 |
STD3NK100Z | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 1000V 2.5A DPAK | تحقيق |
 |
FDMC86106LZ | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V 3.3A POWER33 | تحقيق |
 |
STP5N95K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 950V 3.5A TO220 | تحقيق |
 |
NTGS3447PT1G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP | تحقيق |
 |
IRFD320 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP | تحقيق |
 |
AO4485_102 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 8SOIC | تحقيق |
 |
2SK2701A | Sanken | MOSFET N-CH 450V TO-220F | تحقيق |
|
FDS6064N7 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 23A 8-SOIC | تحقيق |
 |
SIHG40N60E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 40A TO247AC | تحقيق |
 |
IRF1407S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 100A D2PAK | تحقيق |
 |
STB13N80K5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK | تحقيق |
|
IRFD320PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 490MA 4-DIP | تحقيق |
 |
IRFR5505CPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 55V 18A DPAK | تحقيق |
 |
NVTFS4C06NWFTWG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 71A U8FL | تحقيق |
|
IRFD310PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 400V 350MA 4-DIP | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog