يشترى IRFH3702TR2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFH3702TR2PBF
- رقم القطعة:
- IRFH3702TR2PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12686 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFH3702TR2PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFH3702TR2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFH3702TR2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 25µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 8-PQFN (3x3) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.1 mOhm @ 16A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.8W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IRFH3702TR2PBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFH3702TR2PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1510pF @ 15V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 16A (Ta), 42A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFH3702TR2PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFH3702TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | تحقيق |
|
IRFH3707TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN56 | تحقيق |
 |
DMP2069UFY4-7 | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN | تحقيق |
 |
TPH6400ENH,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 200V 21A 8-SOP | تحقيق |
 |
STD120N4F6 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 80A DPAK | تحقيق |
 |
BTS244ZNKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 35A TO220-5 | تحقيق |
|
IRFH3707TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A PQFN33 | تحقيق |
 |
FQB11N40TM | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 400V 11.4A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTU50N085T | IXYS | MOSFET N-CH 85V 50A TO-251 | تحقيق |
|
HUFA75333S3S | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 55V 66A D2PAK | تحقيق |
 |
STB31N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 22A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL2505S | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 104A D2PAK | تحقيق |
 |
IPS075N03LGBKMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CHANNEL 30V 50A TO251-3 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog