يشترى IRFH5106TR2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFH5106TR2PBF
- رقم القطعة:
- IRFH5106TR2PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17360 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFH5106TR2PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFH5106TR2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFH5106TR2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (5x6) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 5.6 mOhm @ 50A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.6W (Ta), 114W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-PowerVDFN |
| اسماء اخرى: | IRFH5106TR2PBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFH5106TR2PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3090pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 75nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 21A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 114W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFH5106TR2PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFH5250DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 25V 40A 8VQFN | تحقيق |
 |
IRFH5110TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 5X6 PQFN | تحقيق |
|
IRFH5106TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 21A 8-PQFN | تحقيق |
 |
IRFH5025TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 3.8A PQFN56 | تحقيق |
|
IRFH5210TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 10A 5X6 PQFN | تحقيق |
 |
IRFH5104TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 24A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5110TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 11A 8-PQFN | تحقيق |
|
IRFH5104TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 24A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5004TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 28A 8VQFN | تحقيق |
|
IRFH5006TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | تحقيق |
|
IRFH5215TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 5.0A PQFN | تحقيق |
|
IRFH5006TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | تحقيق |
|
IRFH5207TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 13A 8-PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog