يشترى IRFHM830TR2PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFHM830TR2PBF
- رقم القطعة:
- IRFHM830TR2PBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 21A PQFN
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13760 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFHM830TR2PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFHM830TR2PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFHM830TR2PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2.35V @ 50µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | PQFN (3x3) |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 3.8 mOhm @ 20A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | 8-VQFN Exposed Pad |
| اسماء اخرى: | IRFHM830TR2PBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFHM830TR2PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2155pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 31nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 21A (Ta), 40A (Tc) 2.7W (Ta), 37W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFHM830TR2PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFHM830DTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | تحقيق |
 |
IRFHM8337TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 12A 8PQFN | تحقيق |
|
IRFHM830TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN | تحقيق |
|
IRFHM8330TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN | تحقيق |
 |
IRFHM8363TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | تحقيق |
|
IRFHM830DTR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 20A PQFN | تحقيق |
 |
IRFHM8363TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 11A 8PQFN | تحقيق |
|
IRFHM8334TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 13A 8PQFN | تحقيق |
|
IRFHM831TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN | تحقيق |
|
IRFHM831TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN | تحقيق |
|
IRFHM8342TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 10A 8PQFN | تحقيق |
|
IRFHM8326TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 25A PQFN | تحقيق |
|
IRFHM8329TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 16A PQFN | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog