يشترى IRFL014PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFL014PBF
- رقم القطعة:
- IRFL014PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16720 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFL014PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFL014PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFL014PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 1.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2W (Ta), 3.1W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFL014PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 300pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 11nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 2.7A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 2.7A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFL014PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IPC60N04S4L06ATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 8TDSON | تحقيق |
 |
IRFL014TR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
PSMN3R5-80ES,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 80V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
IRFL014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL014TRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223 | تحقيق |
 |
NVMFS5C430NT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 40V SO8FL | تحقيق |
 |
FQPF7P20 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET P-CH 200V 5.2A TO-220F | تحقيق |
 |
RQ3L050GNTB | Rohm Semiconductor | NCH 60V 12A MIDDLE POWER MOSFET | تحقيق |
 |
MMBFV170LT3G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 0.5A SOT23 | تحقيق |
 |
ZXMP2120G4TA | Diodes Incorporated | MOSFET P-CH 200V 0.2A SOT-223 | تحقيق |
 |
STW28NM60ND | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 23A TO-247 | تحقيق |
 |
SUM90140E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 90A D2PAK | تحقيق |
 |
BSP130,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 300V 350MA SC73 | تحقيق |
 |
FDP18N50 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 500V 18A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog