يشترى IRFL024ZPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFL024ZPBF
- رقم القطعة:
- IRFL024ZPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 17268 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFL024ZPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFL024ZPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFL024ZPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | SOT-223 |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 57.5 mOhm @ 3.1A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-261-4, TO-261AA |
| اسماء اخرى: | *IRFL024ZPBF SP001554888 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFL024ZPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 340pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 55V 5.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 55V |
| وصف: | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.1A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFL024ZPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFL024NTR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL024Z | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL024NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL014NTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL024ZTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL014NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL024NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | تحقيق |
|
IRFL024N | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 2.8A SOT223 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog