يشترى IRFPG50 مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFPG50
- رقم القطعة:
- IRFPG50
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 19729 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFPG50.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFPG50 ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFPG50 عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-247-3 |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 2 Ohm @ 3.6A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 190W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-247-3 |
| اسماء اخرى: | *IRFPG50 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFPG50 |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2800pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 190nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 1000V (1kV) 6.1A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3 |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 1000V (1kV) |
| وصف: | MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 6.1A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFPG50
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFB17N60K | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 600V 17A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRFPG50PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 6.1A TO-247AC | تحقيق |
 |
NTP2955 | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 60V 2.4A TO220AB | تحقيق |
 |
IRLI630G | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 6.2A TO220FP | تحقيق |
|
IRFPG30 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC | تحقيق |
 |
IPP25N06S325XK | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 25A TO-220 | تحقيق |
 |
NTJS3157NT4 | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-363 | تحقيق |
|
IRFPG30PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC | تحقيق |
 |
SI4426DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 6.5A 8-SOIC | تحقيق |
 |
IRFZ44VZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 57A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFPG40PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC | تحقيق |
 |
SUD80460E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 150V 42A TO252AA | تحقيق |
 |
IXTA270N04T4-7 | IXYS | 40V/270A TRENCH T POWER MOSFET, | تحقيق |
 |
IPI80N06S2L05AKSA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3 | تحقيق |
|
SI2302ADS-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3 | تحقيق |
|
IRLR8103TRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 89A DPAK | تحقيق |
 |
SIB441EDK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET P-CH 12V 9A PPAK SC75-6L | تحقيق |
 |
STF17NF25 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 250V 17A TO-220FP | تحقيق |
|
IRFPG40 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 1000V 4.3A TO-247AC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers