يشترى IRFS23N15D مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFS23N15D
- رقم القطعة:
- IRFS23N15D
- وصف:
- MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12095 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFS23N15D.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFS23N15D ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFS23N15D عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 90 mOhm @ 14A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 136W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRFS23N15D |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRFS23N15D |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 1200pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 56nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 150V 23A (Tc) 3.8W (Ta), 136W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 150V |
| وصف: | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 23A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFS23N15D
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
STB200NF04L-1 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A I2PAK | تحقيق |
 |
IRFS23N20DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
BUK7M19-60EX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 60V MLFPAK | تحقيق |
|
IRFS23N20D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS23N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
NTD4959N-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | تحقيق |
|
IRFS23N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK | تحقيق |
 |
FDP054N10 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 100V TO-220AB-3 | تحقيق |
 |
SUP70090E-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 50A TO-220 | تحقيق |
 |
STP80NF55-06 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 55V 80A TO-220 | تحقيق |
 |
IRLMS6802TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 20V 5.6A 6-TSOP | تحقيق |
|
IRFS23N15DTRLP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 23A D2PAK | تحقيق |
 |
RT1A050ZPTR | Rohm Semiconductor | MOSFET P-CH 12V 5A TSST8 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog