يشترى IRFS31N20DTRLP مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFS31N20DTRLP
- رقم القطعة:
- IRFS31N20DTRLP
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18742 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFS31N20DTRLP.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFS31N20DTRLP ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFS31N20DTRLP عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 5.5V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±30V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IRFS31N20DTRLPDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFS31N20DTRLP |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 2370pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 107nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFS31N20DTRLP
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS31N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS3006TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS31N20DTRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS31N20DTRRP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS31N20DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS3307 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 130A D2PAK | تحقيق |
 |
IRFS3107TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK7 | تحقيق |
|
IRFS3107TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS3107PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 195A D2PAK | تحقيق |
|
IRFS3107-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 240A D2PAK-7 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog