يشترى IRFU220PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRFU220PBF
- رقم القطعة:
- IRFU220PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18018 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRFU220PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRFU220PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRFU220PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±20V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-251AA |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 800 mOhm @ 2.9A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 2.5W (Ta), 42W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| اسماء اخرى: | *IRFU220PBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 12 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRFU220PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 260pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 14nC @ 10V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 200V 4.8A (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) Through Hole TO-251AA |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 200V |
| وصف: | MOSFET N-CH 200V 4.8A I-PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 4.8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRFU220PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFU210PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK | تحقيق |
|
IRFU214 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK | تحقيق |
 |
CSD19536KTT | Texas Instruments | MOSFET N-CH 100V 200A TO263 | تحقيق |
 |
IRF640,127 | NXP USA Inc. | MOSFET N-CH 200V 16A TO220AB | تحقيق |
 |
IPD60R650CEATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 | تحقيق |
 |
NVMFS5C670NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 71A SO8FL | تحقيق |
 |
SI4386DY-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC | تحقيق |
 |
NTLJF4156NTAG | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A 6-WDFN | تحقيق |
|
IRFU224 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK | تحقيق |
 |
FQD12N20TM_F080 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 9A DPAK | تحقيق |
 |
NTD3055L104G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 12A DPAK | تحقيق |
|
IRFU224PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 3.8A I-PAK | تحقيق |
 |
STD40NF10 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 100V 50A DPAK | تحقيق |
 |
STP40NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 40A TO-220 | تحقيق |
|
IRFU214PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 250V 2.2A I-PAK | تحقيق |
|
IRFU210 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 2.6A I-PAK | تحقيق |
 |
AUIRF7737L2TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 315A DIRECTFET | تحقيق |
|
STP6NC60 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 6A TO-220 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog