يشترى IRG8B08N120KDPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRG8B08N120KDPBF
- رقم القطعة:
- IRG8B08N120KDPBF
- وصف:
- DIODE 1200V 8A TO-220
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14960 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRG8B08N120KDPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRG8B08N120KDPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRG8B08N120KDPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 1200V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2V @ 15V, 5A |
| اختبار حالة: | 600V, 5A, 47 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 20ns/160ns |
| تحويل الطاقة: | 300µJ (on), 300µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 50ns |
| السلطة - ماكس: | 89W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | SP001542028 |
| درجة حرارة التشغيل: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRG8B08N120KDPBF |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | - |
| بوابة المسؤول: | 45nC |
| وصف موسع: | IGBT 1200V 15A 89W Through Hole TO-220AB |
| وصف: | DIODE 1200V 8A TO-220 |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 15A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 15A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRG8B08N120KDPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IXGQ180N33TC | IXYS | IGBT 330V 180A TO3P | تحقيق |
 |
IXYX25N250CV1HV | IXYS | IGBT 2500V 235A PLUS247 | تحقيق |
 |
SGU15N40LTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 400V 45W IPAK | تحقيق |
 |
APT20GF120BRG | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 32A 200W TO247 | تحقيق |
 |
IXGR50N60C2 | IXYS | IGBT 600V 75A 200W ISOPLUS247 | تحقيق |
|
FID35-06C | IXYS | IGBT 600V 38A 125W I4PAC5 | تحقيق |
 |
IXGH50N90B2 | IXYS | IGBT 900V 75A 400W TO247 | تحقيق |
 |
IRG4BC20KDSTRLP | Infineon Technologies | IGBT 600V 16A 60W D2PAK | تحقيق |
|
IXGH72N60B3 | IXYS | IGBT 600V 75A 540W TO247 | تحقيق |
 |
HGTG11N120CN | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 1200V 43A 298W TO247 | تحقيق |
 |
IXGT15N120CD1 | IXYS | IGBT 1200V 30A 150W TO268 | تحقيق |
 |
RJH60M1DPP-M0#T2 | Renesas Electronics America | IGBT 600V 16A 30W TO-220FL | تحقيق |
|
IXYH10N170CV1 | IXYS | 1700V/36A HIGH VOLTAGE XPT IGBT, | تحقيق |
 |
IKZ50N65NH5XKSA1 | Infineon Technologies | IGBT 650V 50A CO-PACK TO-247-4 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog