يشترى IRGB6B60KDPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRGB6B60KDPBF
- رقم القطعة:
- IRGB6B60KDPBF
- وصف:
- IGBT 600V 13A 90W TO220AB
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 16319 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRGB6B60KDPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRGB6B60KDPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRGB6B60KDPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| الجهد - جامع باعث انهيار (ماكس): | 600V |
|---|---|
| VCE (على) (ماكس) @ Vge، جيم: | 2.2V @ 15V, 5A |
| اختبار حالة: | 400V, 5A, 100 Ohm, 15V |
| تد (تشغيل / إيقاف) @ 25 ° C: | 25ns/215ns |
| تحويل الطاقة: | 110µJ (on), 135µJ (off) |
| تجار الأجهزة حزمة: | TO-220AB |
| سلسلة: | - |
| عكس وقت الاسترداد (TRR): | 70ns |
| السلطة - ماكس: | 90W |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-220-3 |
| اسماء اخرى: | *IRGB6B60KDPBF SP001532684 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRGB6B60KDPBF |
| نوع المدخلات: | Standard |
| نوع IGBT: | NPT |
| بوابة المسؤول: | 18.2nC |
| وصف موسع: | IGBT NPT 600V 13A 90W Through Hole TO-220AB |
| وصف: | IGBT 600V 13A 90W TO220AB |
| الحالي - جامع نابض (آي سي إم): | 26A |
| الحالي - جامع (IC) (ماكس): | 13A |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRGB6B60KDPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRGB6B60KPBF | Infineon Technologies | IGBT 600V 13A 90W TO220AB | تحقيق |
 |
STGW30M65DF2 | STMicroelectronics | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE | تحقيق |
 |
IXGT10N170A | IXYS | IGBT 1700V 10A 140W TO268 | تحقيق |
 |
IXGT6N170A | IXYS | IGBT 1700V 6A 75W TO268 | تحقيق |
 |
APT25GR120S | Microsemi Corporation | IGBT 1200V 75A 521W D3PAK | تحقيق |
 |
IXSH35N120A | IXYS | IGBT 1200V 70A 300W TO247 | تحقيق |
 |
NGTB15N135IHRWG | ON Semiconductor | IGBT 1350V 15A TO247-3 | تحقيق |
 |
HGTP12N60C3 | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 24A 104W TO220AB | تحقيق |
 |
IRG7CH75UEF-R | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | تحقيق |
 |
MGD623N | Sanken | IGBT 600V 50A 150W TO3P | تحقيق |
|
NGTB25N120FL2WG | ON Semiconductor | IGBT 1200V 25A TO247-3 | تحقيق |
 |
NGB18N40CLBT4G | ON Semiconductor | IGBT 430V 18A 115W D2PAK | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog