يشترى IRL2203NSTRLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL2203NSTRLPBF
- رقم القطعة:
- IRL2203NSTRLPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 14900 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL2203NSTRLPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL2203NSTRLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL2203NSTRLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7 mOhm @ 60A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 180W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tape & Reel (TR) |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IRL2203NSTRLPBF-ND IRL2203NSTRLPBFTR SP001568324 |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRL2203NSTRLPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3290pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 60nC @ 4.5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4.5V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 30V |
| وصف: | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 116A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL2203NSTRLPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL2203NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | تحقيق |
|
IRL2203NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | تحقيق |
|
IRL2203NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL2203NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 | تحقيق |
 |
IRL2203NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB | تحقيق |
|
IRFBE20STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK | تحقيق |
|
IRL2203NLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 | تحقيق |
 |
CSD23202W10T | Texas Instruments | MOSFET P-CH 12V 2.2A 4DSBGA | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog