يشترى IRL2910STRLPBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL2910STRLPBF
- رقم القطعة:
- IRL2910STRLPBF
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 12988 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL2910STRLPBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL2910STRLPBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL2910STRLPBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±16V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | HEXFET® |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 26 mOhm @ 29A, 10V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.8W (Ta), 200W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | IRL2910STRLPBFDKR |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 14 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRL2910STRLPBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 3700pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 140nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 55A (Tc) 3.8W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 10V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 55A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL2910STRLPBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL2910STRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | تحقيق |
|
IRL2910SPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | تحقيق |
 |
IRL2910L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A TO-262 | تحقيق |
 |
IRL2910PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB | تحقيق |
|
IRL2910STRL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK | تحقيق |
 |
IPU075N03L G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 50A TO251-3 | تحقيق |
 |
IXFC96N15P | IXYS | MOSFET N-CH 150V 42A ISPLUS220 | تحقيق |
 |
BSP129E6327 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223 | تحقيق |
|
IXFC20N80P | IXYS | MOSFET N-CH 800V 11A ISOPLUS220 | تحقيق |
 |
IRF8736PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 18A 8-SOIC | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog