يشترى IRL510S مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRL510S
- رقم القطعة:
- IRL510S
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- يحتوي الرصاص / بنفايات غير متوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 13659 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRL510S.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRL510S ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRL510S عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | D2PAK |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 540 mOhm @ 3.4A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 3.7W (Ta), 43W (Tc) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| اسماء اخرى: | *IRL510S |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Surface Mount |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع الجزء رقم: | IRL510S |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 250pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 6.1nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 100V 5.6A (Tc) 3.7W (Ta), 43W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 100V |
| وصف: | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 5.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRL510S
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL510PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | تحقيق |
 |
IRL510L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-262 | تحقيق |
 |
IRL510STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
RSR025N03TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 30V 2.5A TSMT3 | تحقيق |
|
IRL510STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
|
IRL510STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
NTD95N02R-1G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 24V 12A IPAK | تحقيق |
|
IRL510SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK | تحقيق |
 |
RJK5012DPE-00#J3 | Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 500V 12A LDPAK | تحقيق |
 |
AO4413 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET P-CH 30V 15A 8SOIC | تحقيق |
 |
CPH3456-TL-W | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 20V 3.5A CPH3 | تحقيق |
|
IRL510 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB | تحقيق |
 |
SI1078X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 1.02A SOT563F | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog