يشترى IRLD014PBF مع BYCHPS
شراء مع ضمان
IRLD014PBF
- رقم القطعة:
- IRLD014PBF
- الصانع:
- Vishay / Siliconix
- وصف:
- MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
- حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
- الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
- الكمية المتوفرة:
- 18381 Pieces
- ورقة البيانات:
- IRLD014PBF.pdf
المقدمة
BYCHIPS هو الموزع تخزين ل IRLD014PBF ، لدينا مخزون للشحن الفوري وتتوفر أيضا لتوريد وقت طويل. يرجى ان ترسل الينا خطة الشراء الخاصة بك IRLD014PBF عن طريق البريد الإلكتروني ، وسنقدم لك أفضل الأسعار وفقا للخطة الخاصة بك.
مواصفات
| VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| فغس (ماكس): | ±10V |
| تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
| تجار الأجهزة حزمة: | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| سلسلة: | - |
| RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 200 mOhm @ 1A, 5V |
| تبديد الطاقة (ماكس): | 1.3W (Ta) |
| التعبئة والتغليف: | Tube |
| حزمة / كيس: | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
| اسماء اخرى: | *IRLD014PBF |
| درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| تصاعد نوع: | Through Hole |
| مستوى حساسية الرطوبة (مسل): | 1 (Unlimited) |
| الصانع المهلة القياسية: | 10 Weeks |
| الصانع الجزء رقم: | IRLD014PBF |
| مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس: | 400pF @ 25V |
| غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 8.4nC @ 5V |
| نوع FET: | N-Channel |
| FET الميزة: | - |
| وصف موسع: | N-Channel 60V 1.7A (Ta) 1.3W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
| محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 4V, 5V |
| استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 60V |
| وصف: | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP |
| الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 1.7A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
قطع الغيار ذات الصلة لIRLD014PBF
| صورة | رقم القطعة | مصنعين | وصف | رأي |
|---|---|---|---|---|
 |
CSD17577Q5A | Texas Instruments | MOSFET N-CH 30V 60A 8VSON | تحقيق |
 |
STP270N04 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 | تحقيق |
 |
MMIX1F420N10T | IXYS | MOSFET N-CH 100V 334A SMPD | تحقيق |
 |
AON7506 | Alpha & Omega Semiconductor Inc. | MOSFET N-CH 30V 12A 8DFN | تحقيق |
 |
BSC152N10NSFGATMA1 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | تحقيق |
 |
IRLD014 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP | تحقيق |
|
IRLD024PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | تحقيق |
 |
STF5N60M2 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220FP | تحقيق |
 |
NTTD4401FR2G | ON Semiconductor | MOSFET P-CH 20V 2.4A 8MICRO | تحقيق |
 |
PSMN3R0-30MLC,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 30V 70A LFPAK33 | تحقيق |
 |
FQD5N15TF | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 150V 4.3A DPAK | تحقيق |
 |
DMG9N65CT | Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB | تحقيق |
|
FCD5N60_F085 | Fairchild/ON Semiconductor | MOSFET N-CH 600V 4.6A DPAK | تحقيق |
 |
SIE802DF-T1-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 60A 10-POLARPAK | تحقيق |
|
IRLD024 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP | تحقيق |
 |
SI7110DN-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 20V 13.5A 1212-8 | تحقيق |
 |
SUM90N03-2M2P-E3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK | تحقيق |
 |
IXTH50N25T | IXYS | MOSFET N-CH 250V 50A TO-247 | تحقيق |
Latest الأخبار
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog